| 1949年 |
1949年に電気通信機器および高周波応用機器の製造販売を主目的とする国際電気株式会社を設立しました。 |
| 1956年 |
1956年にゲルマニウム、シリコン単結晶引上装置を受注し、半導体製造装置事業を開始しました。 |
| 1961年 |
1961年に世界で初めての高周波応用によるシリコン単結晶の性能測定用ライフタイム測定器と比抵抗測定器を開発しました。 |
| 1961年10月 |
1961年10月に国際電気株式会社が東京証券取引所に上場し、市場第一部銘柄に指定されました。 |
| 1963年 |
1963年に半導体製造装置における不純物拡散の研究を開始しました。 |
| 1964年 |
1964年に半導体素子製造における不純物拡散の研究により拡散炉を開発しました。 |
| 1970年 |
1970年にCVD装置を開発しました。 |
| 1971年 |
1971年にアメリカのデラウェア州に現地法人Kokusai Electric Co., of America（現 Kokusai Semiconductor Equipment Corporation）を設立しました。 |
| 1977年 |
1977年にドイツのデュッセルドルフに現地法人Kokusai Electric Europe GmbH（現 Kokusai Semiconductor Europe GmbH）を設立しました。 |
| 1983年 |
1983年に150mmウェーハ対応のシリコン・エピタキシャル成長装置（DC-7000）を開発しました。 |
| 1985年 |
1985年に縦型CVD拡散装置「VERTEX®」の発売を開始しました。 |
| 1987年 |
1987年に150mmウェーハ対応の縦型CVD装置（VERTEX®-Ⅱ）を開発しました。 |
| 1989年 |
1989年に国際電気システムサービス株式会社（現 株式会社国際電気セミコンダクターサービス）を設立しました。 |
| 1989年 |
1989年に富山工場（現 富山事業所）操業を開始しました。 |
| 1989年 |
1989年に大韓民国天安市に現地法人 Kook Je Electric Korea Co., Ltd.を設立（連結子会社）しました。 |
| 1989年 |
1989年に台湾に亜太國際電機股份有限公司を設立しました。 |
| 1989年 |
1989年に亜太國際電機股份有限公司が、Kokusai Electric Asia Pacific Shanghai Ltd.（現 科意半導体設備（上海）有限公司）を設立しました。 |
| 1989年 |
1989年にHKEホールディングス合同会社（現 当社）を東京都千代田区丸の内に設立しました。 |
| 1989年 |
1989年にKokusai Semiconductor Singapore Pte. Ltd.を設立しました。 |
| 2017年02月 |
2017年2月に新たな資本パートナーとして投資ファンドであるKohlberg Kravis Roberts & Co. L.P（以下、「KKR」）を成膜プロセスソリューション事業の分割による売却先に選定しました。 |
| 2017-02-02 |
設立 |
| 2018年03月 |
2018年3月に株式会社日立国際電気は東京証券取引所市場第一部上場廃止となりました。 |
| 2018年05月 |
2018年5月にHKEホールディングス株式会社は株式会社日立国際電気を子会社化しました。 |
| 2018年06月 |
2018年6月に株式会社日立国際電気が会社分割を行い、同社の成膜プロセスソリューション事業をHKEホールディングス株式会社（現 当社）が承継し、同時に株式会社KOKUSAI ELECTRICに商号変更して現在に至ります。 |
