| 1978年 |
1978年にアイダホ州ボイシの歯科医院の地下で、社員4人の半導体設計会社として始まりました。 |
| 1978-10-05 |
Micron Technology was founded on October 5, 1978, in the basement of a dental office in Boise, Idaho, as a semiconductor design company with four employees. |
| 1979年 |
Micron engineers finalized the design of a 64K DRAM, which was praised as the world's smallest 64K DRAM design. |
| 1980年 |
1980年までに、最初の製造施設を開拓し、わずか数年後に世界最小の256K DRAMを発売しました。 |
| 1980年 |
Micron's first fabrication facility in Boise, Idaho, began construction in 1980. |
| 1981年 |
Micron shipped its first 64K DRAM product in 1981, manufactured at its newly completed Boise facility, and sold to early mass-produced PCs such as the Commodore 64. |
| 1984年 |
Micron announced the world's smallest 256K DRAM chip in 1984, and also went public on NASDAQ. |
| 1987年 |
Micron introduced its 1-megabit DRAM in 1987, enabling large-capacity SIMM modules for PCs running the new Windows OS. |
| 1988年 |
Micron announced its first video RAM and high-speed static RAM products in 1988, expanding its portfolio beyond DRAM. |
| 1992年 |
Micron's 16-megabit DRAM allowed Windows 3.1 to be installed on PCs, replacing the 4Mb DRAM line and becoming a milestone in density. |
| 1994年 |
1994年、フォーチュン500企業にランクされ、技術イノベーション、重要なパートナーシップ、世界各地での戦略的買収を通じて着実に業界のリーダーに成長しました。 |
| 1998年 |
Micron acquired Texas Instruments' memory business in 1998, becoming one of the world's leading global memory manufacturers. |
| 1999年 |
初のDDR DRAM |
| 1999年 |
Micron founded the Micron Foundation in 1999 to promote STEM education and support local communities. |
| 2000年 |
マイクロンのクアッドデータレートSRAMでメモリ帯域幅を2倍に マイクロンの革新的なクアッドデータレート（QDR）アーキテクチャーは、スイッチやルーターなどの通信アプリケーションのSRAM帯域幅を効率化し、2倍にしました。この独自の設計では、2つのポートを使用してダブルデータレートで独立して実行するため、クロックサイクル当たり4つのデータ項目を扱えることになります。 |
| 2002年 |
マイクロンが、業界初の1ギガビットDDRを110nmプロセスで実証 マイクロンの1Gb DDRは、世界で最も先進的なプロセステクノロジー（110nm）で構築されたもので、これはまだ130nmを使用していた半導体大手のIntelやAMDを凌ぐものでした。このチップにより、マイクロンは、密度とインターフェース性能の両方でメモリ業界のリーダーの地位を確立しました。 |
| 2002年 |
東芝の子会社であるDominion Semiconductor, LLC（バージニア州マナサス）における東芝の汎用DRAM事業を買収 |
| 2003年 |
マイクロンが1.3メガピクセルCMOSイメージセンサーを開発 イメージセンサー分野への参入により、マイクロンは電荷結合素子（CCD）センサーに匹敵する画質のCMOSテクノロジーを実現できるイノベーターとしての地位を確立しました。現在、CMOSセンサーは、スマートフォンからハイエンドのプロ用カメラまで、あらゆるタイプのデジタルカメラの標準となっています。 |
| 2004年 |
マイクロンが、携帯電話向けの疑似スタティックRAM（PSRAM）を発表 疑似スタティックSRAM（PSRAM）は、モバイルデバイスのSRAMを置き換えるために必要な高帯域幅、容量、低電力を実現しました。PSRAMにおけるマイクロンのリーダーシップにより、今日のモバイルデバイスで使用されている低電力DRAM製品への将来の道が切り拓かれました。 |
| 2004年 |
マイクロンが業界初の6F 2 DRAMセルを開発 マイクロンが全く新しい6F 2 セルアーキテクチャーを開発したことで業界の8F 2 セル標準が置き換わり、ウエハー当たりのビット数が約25%高まりました。この高密度設計により、マイクロンは業界で最もコスト競争力のあるメモリメーカーとしての地位を奪還しました。 |
| 2004年 |
マイクロンが初の2ギガビットNANDフラッシュ製品を出荷 |
| 2005年 |
マイクロンが、大容量、低電力のモバイルLPDRAMを発表 マイクロンの16MB DRAM（33mm2の小さなダイ上に構築）は、小さなフットプリントで大容量と低電力を実現しました。携帯電話がただの音声機能からマルチメディアへと移行するにつれてLPDRAMの要件は劇的に増加し、このトレンドは今日のスマートフォンでも続いています。 |
| 2005年 |
マイクロンとIntelがNAND合併会社IM Flash Technologiesを設立 |
| 2006年 |
マイクロンが、精度を向上させ、コストを削減するためのMongooseテスターを開発 この社内開発されたテスターは、DRAMテストのスループットと精度を向上させるために、マイクロンが独占的に使用しています。このテスタープラットフォームは、現在および将来のメモリ規格に対応できるよう、継続的に進化しています。 |
| 2006年 |
マイクロンが世界最高密度のサーバーメモリモジュールを発表 マイクロンの16GB DDR2モジュールは、複数のアプリケーションを単一のサーバーに詰め込む仮想化技術の出現に伴い、2000年代のサーバーメモリフットプリントの急増に貢献しました。こうした高密度サーバーモジュールのトレンドは、今日でも続いています。 |
| 2006年 |
マイクロンがLexar Mediaを買収 |
| 2007年 |
マイクロンが業界初のピッチ倍増NANDを開発 ピッチ倍増化は、リソグラフィを変更せずにビット密度を高めるためのリソグラフィ技術として導入されました。この方法では、ビット線を第1層と第2層の金属層に分離することで、マイクロンは既存の50nmテクノロジーで16Gb MLCデバイスを提供できるようになりました。 |
| 2007年 |
マイクロンが、低レイテンシー、低電力のRLDRAM-2メモリを進化 この高性能DRAMはもともとネットワーキング用に設計されましたが、予想外の用途で選ばれるソリューションになりました DLPベースのTVとプロジェクターです。密度は時代の経過とともに増加してきましたが、今日のネットワーキングアプリケーションでは、レイテンシーを低減したDRAMは依然として重要です。 |
| 2007年 |
マイクロンとIntelがサブ40nmのNANDフラッシュメモリを初めて実現 このマルチレベルセル（MLC）NANDフラッシュデバイスは、業界初のモノリシック32Gb NANDであり、デジタルカメラ、パーソナルミュージックプレーヤー、デジタルビデオカメラなどの非常に小さなフォームファクタデバイスで高密度のソリッドステートストレージを可能にしました。 |
| 2009年 |
マイクロンが、業界最速のクライアントSSDであるRealSSD™C300を出荷 |
| 2010年 |
マイクロンがNORメーカーのNumonyx B.V.をIntel、STMicroelectronics、N.V.、Francisco Partnersから買収 |
| 2011年 |
マイクロン創立45周年 |
| 2011年 |
マイクロン、業界初の8層積層24GB HBM3Eメモリをサンプル出荷 |
| 2011年 |
マイクロン、インドで半導体のアセンブリおよびテスト用の施設を新設 |
| 2011年 |
マイクロン、メモリ拡張モジュールポートフォリオを発表、CXL 2.0の普及を加速 |
| 2011年 |
マイクロン、ボイシで最先端のメモリ製造ファブの建設を開始 |
| 2011年 |
マイクロンとIntelが世界初の20nm MLC NANDを発表 |
| 2011年 |
マイクロンがハイブリッドメモリキューブ（HMC）アーキテクチャーを発表 |
| 2012年 |
マイクロンが業界初の2.5インチPCIeエンタープライズSSDを製造 |
| 2012年 |
Ultrabooks™デバイス用の新しい低電力DRAMカテゴリを作成 |
| 2013年 |
マイクロンが世界最小の16nm NANDフラッシュデバイスを実現 |
| 2013年 |
マイクロンがElpida Memory Inc.とRexchip Electronics Corporationを買収 |
| 2014年 |
マイクロンが最初のモノリシック8Gb DDR3 SDRAMで業界をリード |
| 2015年 |
マイクロンとIntelが、これまでに開発された中で最高密度のフラッシュである3D NANDを発表 |
| 2015年 |
マイクロンとIntel、3D XPoint™テクノロジーを発表 |
| 2015年 |
エレクトロニックデザイン誌の「雇用者数トップ50」でマイクロンが第1位にランクイン |
| 2015年 |
Tidal Systemsを買収 |
| 2015年 |
Convey Computersを買収 |
| 2015年 |
Pico Computingを買収 |
| 2016年 |
マイクロン、世界最速のグラフィックスDRAM、GDDR5Xを発表 |
| 2016年 |
マイクロンが、Xccela™コンソーシアムを設立して新しいタイプのインターフェースバスを推進 |
| 2016年 |
Inotera Memoriesを買収 |
| 2016年 |
従業員の意見をもとに、フォーチュン500社の中で最も働きたい会社のひとつに選ばれる |
| 2016年 |
シンガポールにNAND COEを設立 |
| 2016年 |
Micron 512フラッシュ |
| 2017年 |
台湾に大容量DRAM COEを設立 |
| 2017年 |
テクノロジーイノベーションCOEをボイシに設立 |
| 2017年 |
Mogulの「ダイバーシティ＆インクルージョンにおけるトップ100イノベーター」に選出 |
| 2018年 |
マイクロンが業界初のクアッドレベルセルNAND SSDを出荷 |
| 2018年 |
マイクロンが初の「Great Place to Work®」認定を取得 |
| 2018年 |
マイクロン創立40周年 ゆるぎない40年、ますます好調に |
| 2018年 |
人工知能の好奇心を駆り立てる100万ドルの助成金を発表 |
| 2018年 |
バージニア州マナッサスに長寿命製品COEを設立 |
| 2019年 |
フォーブス誌がマイクロンを「多様性部門で最高の雇用主」リストに選出 |
| 2019年 |
マイクロン、FWDNXTを取得 |
| 2019年 |
マイクロン、広島に先端技術DRAMセンターを開設 |
| 2020年 |
PAM4マルチレベルシグナリングを採用した最初のメモリ、GDDR6Xを発売 |
| 2020年 |
業界初の176層NANDフラッシュを出荷 |
| 2021年 |
業界初、1α DRAMプロセス技術を使った製品を出荷 |
| 2021年 |
アトランタにデザインセンターを開設 |
| 2021年 |
10億ドルの第1回グリーンボンドを発行 |
| 2021年 |
最先端メモリと研究開発に1500億ドル以上を投資 |
| 2021年 |
すべての従業員に対してグローバルで包括的な同一労働同一賃金を実現 |
| 2022年 |
マイクロン、世界初の232層NANDを出荷開始 |
| 2022年 |
マイクロンの特許件数が5万件に到達 |
| 2022年 |
マイクロンが1ベータノードによる世界最先端のDRAM技術を出荷 |
| 2022年 |
最大1000億ドルを投資してニューヨーク州クレイにメガファブを建設 |
| 2022年 |
アイダホの新しいファブに150億ドルを投資 |
| 2022年 |
マイクロンベンチャーズファンドIIがディープテックスタートアップ企業に2億ドルを出資 |
| 2023年 |
マイクロン、業界初のHBM3E 8層積層24GBメモリをサンプル出荷 |
| 2023年 |
マイクロン、インドで半導体のアセンブリおよびテスト用の施設を新設 |
| 2023年 |
マイクロン、メモリ拡張モジュールポートフォリオを発表、CXL 2.0の普及を加速 |
| 2023年 |
マイクロン、ボイシで最先端のメモリ製造ファブの建設を開始 |
| 2023年 |
マイクロン創立45周年 |
| 2024年 |
製品G9-2yy NANDタワー |
| 2024年 |
業界最速のG9 TLC NANDを出荷 |
| 2024年 |
初の生産対応HBM3E 12層積層メモリ |
| 2024年 |
市場初となるLPCAMM2 |
| 2024年 |
MRDIMM第1世代を導入 |
| 2025年 |
マイクロン、6万件の特許を取得 |
| 2025年 |
1γ（1ガンマ）、第6世代DRAMノードベースメモリの出荷を開始 |
| 2025年 |
SOCAMMモジュールの出荷を開始 |
| 2025年 |
主要顧客向けにHBM4を出荷 |
