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NTT Devices America Inc.
Japan
〒221-0031 神奈川県横浜市神奈川区新浦島町1-1-32 アクアリアタワー横浜
塚野 英博

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DateDescription
1982-06 日本電子技術株式会社 設立
1985-06 NTTエレクトロニクステクノロジー株式会社に社名を変更
1988-05 資本金3億8,050万円に増資
1989-04 品質管理部 設置
1989-10 営業本部設置、横浜事業所 開設
1990-10 厚木事業所厚木設計センタ 開設
1991-10 資本金18億8,050万円に増資
1992-04 事業部制に移行　業務本部設置
1992-05 資本金26億3,050万円に増資
1993-04 品質保証本部設置
1993-07 厚木事業所茨城分室開設
1994-10 ISO 9001認証取得（化合物半導体事業部）
1995-07 茨城分室を茨城事業所に名称を変更 : 光デバイス事業部設置
1996-12 ISO 9001認証取得（LSI事業本部、光半導体デバイス部）
1997-07 NTTエレクトロニクス株式会社に社名を変更 : 本社・営業本部、東京都渋谷区に移転
1997-08 海老名事業所 開設
1997-11 武蔵野事業所 開設
1997-12 ISO 9001認証取得（光ハイブリッドデバイス部）
1998-03 茨城事業所、新社屋に移転
1998-04 超高速エレクトロニクス事業本部、フォトニクス事業本部を設置
1998-07 ISO 9001認証取得（システム事業本部）
1999-04 米国駐在事業所準備室設置
1999-09 西日本支店開設
1999-10 茨城事業所工場増設 : ISO 14000認証取得（茨城事業所）
2000-02 NEL America, Inc. : 設立
2000-03 NELテクノサポート株式会社 設立
2000-11 ISO 14000認証取得（全社）
2001-01 茨城に新工場竣工
2001-02 資本金87億750万円に増資
2001-03 NELクリスタル株式会社 設立
2001-04 技術開発本部を設置 : エレクトロニクス事業統括本部を設置
2001-06 南町田事業所 開設
2004-12 NELテクノサポート株式会社をNTTエレクトロニクステクノ株式会社に社名を変更
2005-08 資本金33億2964万7680円に減資
2006-10 北京 : 事務所開設
2007-07 資本金65億7678万7680円に増資
2009-02 ミラノ事務所開設
2009-06 本社を神奈川県横浜市に移転
2010-01 深圳 : 事務所 開設
2011-07 NTT Electronics Hong Kong Limited : 設立
2012-01 深圳恩梯梯電子有限公司 : 設立
2015-02 NTT Electronics America, Inc. West Coast Office : 開設
2015-03 NTT Electronics Europe S.r.l. : 設立
2017-01 NEL America, Inc.をNTT Electronics America, Inc.に社名を変更
2017-04 NTTエレクトロニクスオプテック株式会社 設立
2018-04 NELクリスタル株式会社をNTTエレクトロニクスコプロ株式会社に社名を変更
2021-06 NTTエレクトロニクスクロステクノロジ株式会社　設立
2022-11 fJscaler Inc. 設立
2023-08 NTTイノベーティブデバイス株式会社と合併し、NTTイノベーティブデバイス株式会社に社名を変更
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2026-09-21 18:11 (Model: gpt-4.1-nano )
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