日清紡マイクロデバイス株式会社
2022-01-01
Japan
半導体集積回路、ディスクリート半導体、光半導体
衛星通信用コンポーネント
電波式センサー
レーダー用コンポーネント
電子銃/カソード
〒103-8456 東京都中央区日本橋横山町3番10号
吉岡 圭一
5,220,075,750 円 (52 億円)
449 人
1,764 人

79 件
日付概要
1959-09-08 全額出資により商号埼玉日本無線(株)として創立
1961年03月 商号を新日本無線(株)と改称
1961年12月 日本無線・レイセオン社の合弁会社となる
1962年07月 日本無線より半導体製造部門を譲受
1963年04月 マイクロ波管および半導体販売部門を日本無線より譲受
1965年 新日本無線株式会社(現 日清紡マイクロデバイス株式会社)の全額出資により佐賀エレクトロニックス株式会社設立
1965年04月 佐賀エレクトロニックス(株)設立
1966年 佐賀工場 操業開始
1966年 シリコンダイオード生産開始
1966年 メタルトランジスタ生産開始
1967年08月 関西出張所(現:西日本営業部)を開設
1968年 樹脂モールドトランジスタ生産開始
1969年 ショットキ・バリヤ・ダイオード生産開始
1972年 リードフレーム形トランジスタ生産開始
1976年 トランジスタの組立海外委託を開始(マレーシア)
1976年07月 マイクロ波部門を三鷹市日本無線構内より移転し、生産部門の統合完了
1979年 LSI生産開始
1979年04月 NJR CORPORATION(米国)設立
1984年 新工場棟(F1棟) 完成
1984年 TQC(全社的品質管理活動) 開始
1989年 THAINJR CO.,LTD.(タイ国)設立(新日本無線株式会社(現 日清紡マイクロデバイス株式会社)と共同出資)
1989年 社員食堂および体育館 完成
1989年06月 THAI NJR CO.,LTD.(タイ国)設立
1990年 連続操業体制確立
1990年 SSOP 生産開始
1991年 TCP 生産開始
1991年 階層別生産方式開始
1991年11月 株式公開(店頭登録銘柄 証券コード6911)
1992年12月 NJR(SINGAPORE)PTE LTD(シンガポール)設立
1994年 TQFP 生産開始
1994年 ISO9002(品質マネジメントシステム) 認証取得
1994年11月 ISO9001(品質マネジメントシステム)の認証取得
1995年 労働組合発足
1996年 生産革新導入
1996年 VSP生産開始
1997年 9人制女子バレーボール部創設
1997年03月 ISO14001(環境マネジメントシステム)の認証取得
1998年 佐賀工場を佐賀製作所と改称
1999年 CSP 生産開始
1999年 FFP 生産開始
1999年 エリクソン社ステッピングモーター事業の買収に伴う海外委託開始
2000年 COF委託生産開始
2000年10月 東京証券取引所市場第二部上場
2001年 TVSP生産開始
2001年 鉛フリー製品納入開始
2001年 ISO14001(環境マネジメントシステム) 認証取得
2002年 PCSP生産開始
2002年09月 東京証券取引所市場第一部指定替え
2003年01月 (株)エヌ・ジェイ・アール福岡設立
2003年 ISO9001認証取得移行
2004年 IC設計部新設(IC回路設計業務を開始)
2004年 SSOP32 生産開始
2004年 QFN 生産開始
2005年12月 親会社の異動:旧:日本無線(株)、新:日清紡績(株)→現:日清紡ホールディングス(株)
2006年 VターンSAGAキックオフ宣言
2007年 ISO/TS16949(品質マネジメントシステム) 認証取得
2007年03月 ISO/TS16949(品質マネジメントシステム)の認証取得
2008年01月 恩結雅(上海)貿易有限公司(中国)設立
2008年 ガルウィングパッケージラインナップ充実
2009年 ノンリードパッケージラインナップ充実
2009年 環境ISO記念植樹
2010年 ウェハテスト・バックグラインドの生産開始
2010年08月 台湾駐在員事務所(台湾)を開設、NJR KOREA CO.,LTD.(韓国)設立
2011年 事業構造改革スタート
2011年07月 九州営業所(現:九州事務所)を開設
2012年 バックメタル生産開始
2012年 イオナイザ監視システムIMS(アイムス) 販売開始
2013年 【共同開発製品】 対話支援システムcomuoon(コミューン) 販売開始
2014年07月 名古屋営業所を開設
2015年 CSSD製品生産開始
2016年08月 NJR Europe GmbH(ドイツ)設立
2018年09月 日清紡ホールディングス(株)の完全子会社
2019年 新事務棟(A2棟)完成
2019年 イオナイザチェッカーHaLion(ハリオン) 販売開始
2020年 新工場棟(F2棟) 完成
2021年01月 リコー電子デバイス株式会社との事業統合を発表
2021年04月 長崎テクニカルセンターを開設
2022年01月 日清紡マイクロデバイス株式会社設立
2022年 日清紡マイクロデバイスAT株式会社に商号変更
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7010001045862
商号又は名称日清紡マイクロデバイス株式会社
フリガナニッシンボウマイクロデバイス
英語名
法人種別301
住所〒103-0003 東京都中央区日本橋横山町3番10号
郵便番号1030003
都道府県コード13
市区町村コード102
国外所在地
国内所在地(都道府県)英語Tokyo
国内所在地(市区町村等)英語3-10, Nihonbashi Yokoyama-cho, Chuo ku
国外所在地(英語)
法人番号指定年月日2015-10-05
更新年月日2022-01-24
変更年月日2022-01-06
登記記録の閉鎖等年月日
登記記録の閉鎖等の事由
承継先法人番号
変更事由の詳細令和4年1月1日大阪府池田市姫室町13番1号リコー電子デバイス株式会社(8120901034110)を合併
最新履歴1
検索対象除外0
処理区分71
訂正区分0
商号又は名称イメージID
国内所在地イメージID
一連番号2164767
出典:国税庁法人番号公表サイト 基本3情報
7010001045862
法人番号7010001045862
商号又は名称日清紡マイクロデバイス株式会社
商号又は名称(カナ)ニッシンボウマイクロデバイス
商号又は名称(英字)
登記記録の閉鎖等年月日
登記記録の閉鎖等の事由
登記住所東京都中央区日本橋横山町3番10号
郵便番号1030003
都道府県東京都
都道府県コード13
市区町村(郡)中央区
市区町村コード102
番地以下日本橋横山町3番10号
組織種別301
処理区分71
訂正区分0
状態
代表者名称代表取締役社長 小倉 良
資本金5220000000
従業員数2129
企業規模詳細(男性)1793
企業規模詳細(女性)336
事業概要半導体、マイクロ波関連製品の研究開発および製造販売
WebサイトURLhttps://www.nisshinbo-microdevices.co.jp/
創業年
事業種目E:製造業
設立年月日1959-09-08
全省庁統一資格-資格等級A|A|A|
全省庁統一資格-営業品目116|128|216|228|303|314
更新年月日2022-01-24
キー情報7010001045862
出典:Gビズインフォ(経済産業省)
2026-06-19 10:14 (Model: gpt-4.1-nano )
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