美光科技股份有限公司

1978 年，美光在爱达荷州博伊西市一家牙科诊所的地下室成立，当时只是一家仅有四名员工的半导体设计公司。

美光在爱达荷州博伊西市一家牙科诊所的地下室成立，当时只是一家仅有四名员工的半导体设计公司。

Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）于 1978 年 10 月 5 日成立

Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）于 1978 年 10 月 5 日成立。美光起初是一家只有四名员工的半导体设计公司，位于爱达荷州博伊西市一家牙科诊所的地下室。美光的第一份合同是为 Mostek 公司设计 64K 内存芯片。

美光工程师完成 64K DRAM 工程设计

美光工程师们最终完成 64K DRAM 设计。虽然不是首家生产 64K DRAM 的公司，但美光的工程师们开发出一个更新、更小的版本，被誉为全球尺寸更小的 64K DRAM。这一创新设计助力美光在 1981 年实现前沿 64K 产品的量产。

1980 年，我们的第一家制造厂破土动工，仅仅几年后，我们推出了当时世界上最小的 256K DRAM。

美光的第一家晶圆厂在爱达荷州博伊西破土动工

我们的第一家制造厂破土动工。

美光的第一家晶圆厂在爱达荷州博伊西破土动工。

出货首批 64K DRAM 产品

美光发布了前沿的 64K DRAM 产品。美光的 64K DRAM 是在爱达荷州博伊西新建生产基地生产的第一款产品。美光面向许多首批量产个人电脑（Commodore 64 家用电脑）的厂家销售其 64K DRAM。出货首批 64K DRAM 产品。

美光发布了世界上尺寸更小的 256K DRAM 芯片

256K DRAM 采用更大、更易读取的内存单元，助力这家年轻的内存初创企业在未来提高效率并实现盈利。

美光成为 NASDAQ 上市公司

美光 1 兆比特 DRAM 问世

1 兆比特 DRAM 是密度领域的一个里程碑，在上世纪 80 年代末和 90 年代成为个人电脑和显卡的主内存。美光 1 兆比特 DRAM 支持大容量 SIMM 模块，该模块可支持搭载新版 Microsoft Windows 操作系统的个人电脑。

美光推出前沿的视频 RAM 和快速静态 RAM 产品

256K 视频 RAM 和快速静态 RAM 的推出，使美光的产品组合范围超越了传统 DRAM，让美光成为差异化内存类型领域的参与者。

美光 16 兆比特 DRAM 使个人电脑能够安装新版 Windows 3.1

16 兆比特 DRAM 取代了美光主流 4 兆比特 DRAM 系列，实现了密度里程碑。这些容量更高的芯片与 Microsoft 发布的 Windows 3.1 相兼容，这促使将对 PC RAM 的至低要求提高到了 1 兆字节。

1994 年，我们跻身《财富》500 强，并通过在全球范围内进行技术创新、建立重要合作伙伴关系和战略收购，稳步成长为行业领导者。

我们跻身《财富》500 强。

美光收购 Texas Instruments 全球存储业务，成为全球排名前列的存储产品制造商

美光生产业内前沿的 DDR DRAM

美光对 Samurai 双倍数据率 (DDR) 芯片组的演示证明，DDR 内存可提供与 Direct RDRAM 解决方案相当的性能，但成本更低。未来 DDR 将成为高性能 DRAM 无可争议的行业标准接口。

美光基金会成立，旨在推动 STEM 教育并为社区提供支持。

美光的四倍数据倍率 SRAM 使内存带宽加倍

美光创新型四倍数据倍率 (QDR) 架构有效地将 SRAM 带宽增加了一倍，用于交换机和路由器等通信应用。这种独特的设计使用两个端口以双倍数据率独立运行，使得每个时钟周期有四个数据项。

美光展示了业界率先采用 110 纳米制程的 1 GB DDR

美光收购了东芝 Dominion 半导体的商用 DRAM 业务，Dominion 半导体是日本东芝公司在弗吉尼亚州马纳萨斯的子公司

美光开发出 130 万像素的 CMOS 图像传感器

美光迈入了图像传感器领域，成为一家能够制造 CMOS 技术的创新者，其图像质量堪比电荷耦合设备 (CCD) 传感器。如今，从智能手机到高端专业设备，CMOS 传感器已成为所有类型数码相机的标准配置。

美光面向手机推出伪静态 RAM

伪静态 SRAM (PSRAM) 提供在移动设备中取代 SRAM 所必需的高带宽、大容量和低功耗。美光在 PSRAM 的优势地位为未来生产低功耗的 DRAM 产品铺平了道路，这些产品目前用于移动设备。

美光开发出业内前沿的 6F 2 DRAM 单元

美光开发出一种新的 6F 2 单元架构，以取代业内的 8F 2 单元标准，使每片颗粒可多出约 25% 的位容量。这种高密度的设计使美光重新成为业内更具成本竞争力的内存生产商。

美光率先出货 2G NAND 闪存产品

美光开发出业内前沿的 6F² DRAM 单元

美光与英特尔合作成立 NAND 合资企业 IM Flash Technologies

美光推出大容量、低功耗移动 LPDRAM

美光开发出 Mongoose 测试仪，以提高准确性，降低成本。美光专门使用这种内部开发的测试仪来提高 DRAM 测试吞吐量和准确性。美光继续发展该测试仪平台，以满足新的和未来的内存标准。

美光推出世界上密度出众的服务器内存模块。随着将多个应用程序集成到单个服务器这一虚拟化技术的兴起，在美光 16 GB DDR2 模块的助力下，21 世纪的服务器内存使用量迅速增长。

收购 Lexar Media

美光开发出业内前沿的双间距 NAND。美光将间距加倍作为一种光刻技术推出，用于在不改变光刻技术的前提下提高位密度。这种方法涉及到将位线分离成第一和第二金属层，使美光能够以现有的 50 纳米技术提供 16 Gb MLC 设备。

美光推出低延迟、低功耗的 RLDRAM 2 内存。这种高性能 DRAM 起初是为联网设计的，很快成为某个特殊应用程序的优选解决方案：基于 DLP 的电视和投影机。

美光和英特尔率先推出低于 40 纳米的 NAND 闪存。这款多层单元 (MLC) NAND 闪存设备是业界前沿的 32 Gb 单片 NAND，可以在数码相机、个人音乐播放器和数码摄像机等小型设备中实现高密度固态存储。

美光与 Nanya 合作成立 DRAM 合资企业 Inotera Memories

美光推出 RealSSD™ C300，这是业内速度出众的客户端 SSD。在推出时，C300 SSD 可为笔记本电脑和台式电脑提供更快的速度。通过支持 SATA III 接口，此 SSD 提供 6 Gb/s 的吞吐速率，可显著提升吞吐量，加速数据传输、应用加载和启动时间。

美光从英特尔、STMicroelectronics, N.V. 和 Francisco Partners 手中收购 NOR 制造商 Numonyx B.V.

美光和英特尔率先推出 20 纳米的 MLC NAND。该 128 Gb MLC 内存能够在仅含 8 个颗粒的指尖大小的封装中存储 1 TB 数据，树立了新的存储基准。此外，这款内存率先采用创新平面单元结构，克服了标准浮动栅极 NAND 的缩放限制。

美光率先推出混合存储立方体 (HMC) 架构。混合存储立方体 (HMC) 是一种变革性的 DRAM 架构，它使用硅通孔 (TSV) 技术将高速逻辑与内存颗粒堆栈组合在一起。美光会继续将 HMC 的特性应用于未来新兴的内存技术。

美光生产业内前沿的 2.5 英寸 PCIe 企业级 SSD

美光提供世界上尺寸更小的 16 纳米 NAND 闪存设备

美光的 16 纳米制程技术在单个颗粒上提供了 16 GB 的存储空间，是迄今为止开发的密度出众的平面 NAND 闪存。通过使用此工艺，单个 300 纳米晶圆可产生近 6 TB 的存储。

收购 Elpida Memory Inc. 和 Rexchip Electronics Corporation

美光率先推出 8 Gb DDR3 单片 SDRAM，在业界占据优势地位

此产品提供显著的单器件密度提升，单芯片容量可达 1 GB。更高密度实现了高成本效益的大容量解决方案，可以更好地支持大规模、数据密集型工作负载。

美光和英特尔或将推出具有划时代密度的 3D NAND 闪存

3D NAND 成为半导体未来发展的一个重要转折点。通过垂直叠加数据存储单元层，3D NAND 的容量是平面 NAND 技术的三倍。

美光和英特尔宣布推出 3D Xpoint™ 技术

3D XPoint 是数十年来率先推出的新内存类别。这种非易失性存储器的速度可达到 NAND 的 1,000 倍，耐用度比 NAND 高 1,000 倍。

美光在《电子设计》杂志评选出的“50 家最佳雇主”中排名第一

收购 Tidal Systems

收购 Convey Computer

收购 Pico Computing

美光推出业界速度出众的图形 DRAM——GDDR5X

这种内存具备创纪录的每针高数据速率，拥有出众的图形性能和 GPGPU 计算能力。GDDR5X 提供高达 14 Gb/s 的数据速率，几乎是之前 GDDR5 内存带宽的两倍。

美光成立 Xccela™ 联盟，以推广新型接口总线

Xcella™ 行业联盟的创建有助于加速对 Xccela 总线接口的采用，这是一种新型高性能数字互连，适用于易失性和非易失性存储器。

收购 Inotera Memories

基于员工投票，入选《财富》“最受员工欢迎的 500 家公司”

在新加坡建立 NAND 卓越中心

美光宣布推出用于物联网设备的 Authenta™ 安全技术

美光® Authenta™ 技术有助于在闪存中实现强大的加密物联网设备标识和健康管理，从启动进程开始为物联网设备软件的至低层提供独特级别的保护。

此美光模块容量为 32 GB，是 NVDIMM 的两倍

美光将其 DDR4 NVDIMM 的密度增至 32 GB，是此前解决方案容量的两倍。NVDIMM，也称为持久性内存，即使在断电后也可在 DRAM 中长久存储数据。美光 32 GB NVDIMM-N 模块具有高容量和更快的吞吐速度。

在中国台湾建立大容量 DRAM 卓越中心。

在博伊西建立技术创新卓越中心

入选 Mogul“多元和包容百强创新企业”

美光将其 DDR4 NVDIMM 的密度增至 32 GB，是此前解决方案容量的两倍。

美光率先推出业界四层单元 NAND SSD

美光率先推出采用变革性四层单元 (QLC) NAND 技术构建的 SSD。美光® 5210 ION SSD 的位密度较三层单元 (TLC) NAND SSD 高出 33%，适用于此前采用机械硬盘 (HDD) 的细分市场。

首次获得“最佳职场”(Great Place to Work®) 认证

庆祝美光成立 40 周年：四十载积累，再创新辉煌

宣布捐赠 100 万美元，用于推动人工智能研究发展

在弗吉尼亚州马纳萨斯开设长生命周期产品卓越中心

入选《福布斯》“多元化最佳雇主”榜单

收购 FWDNXT

在日本广岛开设先进 DRAM 技术中心

率先推出采用 PAM4 多级信令的内存 GDDR6X。

率先出货业界 176 层 NAND 闪存。

捐赠 5,000 万美元支持弱势群体社区发展。

率先推出业界 1α DRAM 制程技术。

在亚特兰大开设设计中心。

发行首笔 10 亿美元绿色债券。

投资超过 1,500 亿美元，用于前沿内存和研发。

在全球范围实现全面薪酬平等。

美光出货全球首款 232 层 NAND，进一步巩固技术优势地位。

美光业界前沿 232 层 3D NAND 为新一轮端到端技术创新奠定了基础。凭借这一率先推出的 232 层技术，美光实现了行业前沿的存储密度、增强性能和 I/O 速度。新技术有助于在客户端、移动和数据中心市场开启数字化、性能优化和自动化的新机遇。

美光实现 50,000 项专利里程碑。

出货业界前沿 DRAM 产品，采用 1-Beta 节点技术。

投资 1,000 亿美元在纽约州克莱建设超级晶圆厂。

投资 150 亿美元在爱达荷州新建晶圆厂。

美光创投第二轮基金承诺投资 2 亿美元扶植深度技术初创公司。

率先出货 232 层 NAND。

美光率先在业界推出 8 层堆叠 24GB HBM3E 样品，凭借其先进的 1β 制程节点工艺，实现了超过 1.2 TB/s 的带宽和更优的能效表现。

庆祝美光成立 45 周年。

宣布在印度新建半导体封装与测试工厂。

推出内存扩展模块系列产品，加速 CXL 2.0 普及。

博伊西前沿内存制造晶圆厂开工建设。

送样业界前沿的 8 层堆叠 24 GB HBM3E 内存。

出货业界速度出众的 G9 TLC NAND。

率先量产 12 层堆叠 HBM3E。

LPCAMM2 率先上市。

发布第一代 MRDIMM。

美光已达成一项重大创新里程碑：累计获得 60,000 项授权专利。

率先出货采用 1γ (1-gamma) 技术、基于第六代 DRAM 节点的内存。

率先出货 SOCAMM 模块。

向关键客户出货 HBM4。

美光庆祝获得 60,000 项专利。