| 1978 |
1978 年，美光在爱达荷州博伊西市一家牙科诊所的地下室成立，当时只是一家仅有四名员工的半导体设计公司。 |
| 1978-10-05 |
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）于 1978 年 10 月 5 日成立 |
| 1979 |
美光工程师完成 64K DRAM 工程设计 |
| 1980 |
1980 年，我们的第一家制造厂破土动工，仅仅几年后，我们推出了当时世界上最小的 256K DRAM。 |
| 1980 |
美光的第一家晶圆厂在爱达荷州博伊西破土动工 |
| 1981 |
出货首批 64K DRAM 产品 |
| 1984 |
美光发布了世界上尺寸更小的 256K DRAM 芯片 |
| 1984 |
256K DRAM 采用更大、更易读取的内存单元，助力这家年轻的内存初创企业在未来提高效率并实现盈利。 |
| 1984 |
美光成为 NASDAQ 上市公司 |
| 1987 |
美光 1 兆比特 DRAM 问世 |
| 1987 |
1 兆比特 DRAM 是密度领域的一个里程碑，在上世纪 80 年代末和 90 年代成为个人电脑和显卡的主内存。美光 1 兆比特 DRAM 支持大容量 SIMM 模块，该模块可支持搭载新版 Microsoft Windows 操作系统的个人电脑。 |
| 1988 |
美光推出前沿的视频 RAM 和快速静态 RAM 产品 |
| 1988 |
256K 视频 RAM 和快速静态 RAM 的推出，使美光的产品组合范围超越了传统 DRAM，让美光成为差异化内存类型领域的参与者。 |
| 1992 |
美光 16 兆比特 DRAM 使个人电脑能够安装新版 Windows 3.1 |
| 1992 |
16 兆比特 DRAM 取代了美光主流 4 兆比特 DRAM 系列，实现了密度里程碑。这些容量更高的芯片与 Microsoft 发布的 Windows 3.1 相兼容，这促使将对 PC RAM 的至低要求提高到了 1 兆字节。 |
| 1994 |
1994 年，我们跻身《财富》500 强，并通过在全球范围内进行技术创新、建立重要合作伙伴关系和战略收购，稳步成长为行业领导者。 |
| 1998 |
美光收购 Texas Instruments 全球存储业务，成为全球排名前列的存储产品制造商 |
| 1999 |
美光生产业内前沿的 DDR DRAM |
| 1999 |
美光对 Samurai 双倍数据率 (DDR) 芯片组的演示证明，DDR 内存可提供与 Direct RDRAM 解决方案相当的性能，但成本更低。未来 DDR 将成为高性能 DRAM 无可争议的行业标准接口。 |
| 1999 |
美光基金会成立，旨在推动 STEM 教育并为社区提供支持。 |
| 2000 |
美光的四倍数据倍率 SRAM 使内存带宽加倍 |
| 2000 |
美光创新型四倍数据倍率 (QDR) 架构有效地将 SRAM 带宽增加了一倍，用于交换机和路由器等通信应用。这种独特的设计使用两个端口以双倍数据率独立运行，使得每个时钟周期有四个数据项。 |
| 2002 |
美光展示了业界率先采用 110 纳米制程的 1 GB DDR |
| 2002 |
美光收购了东芝 Dominion 半导体的商用 DRAM 业务，Dominion 半导体是日本东芝公司在弗吉尼亚州马纳萨斯的子公司 |
| 2003 |
美光开发出 130 万像素的 CMOS 图像传感器 |
| 2003 |
美光迈入了图像传感器领域，成为一家能够制造 CMOS 技术的创新者，其图像质量堪比电荷耦合设备 (CCD) 传感器。如今，从智能手机到高端专业设备，CMOS 传感器已成为所有类型数码相机的标准配置。 |
| 2004 |
美光面向手机推出伪静态 RAM |
| 2004 |
伪静态 SRAM (PSRAM) 提供在移动设备中取代 SRAM 所必需的高带宽、大容量和低功耗。美光在 PSRAM 的优势地位为未来生产低功耗的 DRAM 产品铺平了道路，这些产品目前用于移动设备。 |
| 2004 |
美光开发出业内前沿的 6F 2 DRAM 单元 |
| 2004 |
美光开发出一种新的 6F 2 单元架构，以取代业内的 8F 2 单元标准，使每片颗粒可多出约 25% 的位容量。这种高密度的设计使美光重新成为业内更具成本竞争力的内存生产商。 |
| 2004 |
美光率先出货 2G NAND 闪存产品 |
| 2005 |
美光与英特尔合作成立 NAND 合资企业 IM Flash Technologies |
| 2012 |
美光生产业内前沿的 2.5 英寸 PCIe 企业级 SSD |
| 2013 |
美光提供世界上尺寸更小的 16 纳米 NAND 闪存设备 |
| 2013 |
美光的 16 纳米制程技术在单个颗粒上提供了 16 GB 的存储空间，是迄今为止开发的密度出众的平面 NAND 闪存。通过使用此工艺，单个 300 纳米晶圆可产生近 6 TB 的存储。 |
| 2013 |
收购 Elpida Memory Inc. 和 Rexchip Electronics Corporation |
| 2014 |
美光率先推出 8 Gb DDR3 单片 SDRAM，在业界占据优势地位 |
| 2014 |
此产品提供显著的单器件密度提升，单芯片容量可达 1 GB。更高密度实现了高成本效益的大容量解决方案，可以更好地支持大规模、数据密集型工作负载。 |
| 2015 |
美光和英特尔或将推出具有划时代密度的 3D NAND 闪存 |
| 2015 |
3D NAND 成为半导体未来发展的一个重要转折点。通过垂直叠加数据存储单元层，3D NAND 的容量是平面 NAND 技术的三倍。 |
| 2015 |
美光和英特尔宣布推出 3D Xpoint™ 技术 |
| 2015 |
3D XPoint 是数十年来率先推出的新内存类别。这种非易失性存储器的速度可达到 NAND 的 1,000 倍，耐用度比 NAND 高 1,000 倍。 |
| 2015 |
美光在《电子设计》杂志评选出的“50 家最佳雇主”中排名第一 |
| 2015 |
收购 Tidal Systems |
| 2015 |
收购 Convey Computer |
| 2015 |
收购 Pico Computing |
| 2016 |
美光推出业界速度出众的图形 DRAM——GDDR5X |
| 2016 |
这种内存具备创纪录的每针高数据速率，拥有出众的图形性能和 GPGPU 计算能力。GDDR5X 提供高达 14 Gb/s 的数据速率，几乎是之前 GDDR5 内存带宽的两倍。 |
| 2016 |
美光成立 Xccela™ 联盟，以推广新型接口总线 |
| 2016 |
Xcella™ 行业联盟的创建有助于加速对 Xccela 总线接口的采用，这是一种新型高性能数字互连，适用于易失性和非易失性存储器。 |
| 2016 |
收购 Inotera Memories |
| 2016 |
基于员工投票，入选《财富》“最受员工欢迎的 500 家公司” |
| 2016 |
在新加坡建立 NAND 卓越中心 |
| 2017 |
美光宣布推出用于物联网设备的 Authenta™ 安全技术 |
| 2017 |
美光® Authenta™ 技术有助于在闪存中实现强大的加密物联网设备标识和健康管理，从启动进程开始为物联网设备软件的至低层提供独特级别的保护。 |
| 2017 |
此美光模块容量为 32 GB，是 NVDIMM 的两倍 |
| 2017 |
美光将其 DDR4 NVDIMM 的密度增至 32 GB，是此前解决方案容量的两倍。NVDIMM，也称为持久性内存，即使在断电后也可在 DRAM 中长久存储数据。美光 32 GB NVDIMM-N 模块具有高容量和更快的吞吐速度。 |
| 2017 |
在中国台湾建立大容量 DRAM 卓越中心。 |
| 2017 |
在博伊西建立技术创新卓越中心 |
| 2017 |
入选 Mogul“多元和包容百强创新企业” |
| 2018 |
美光率先推出业界四层单元 NAND SSD |
| 2018 |
美光率先推出采用变革性四层单元 (QLC) NAND 技术构建的 SSD。美光® 5210 ION SSD 的位密度较三层单元 (TLC) NAND SSD 高出 33%，适用于此前采用机械硬盘 (HDD) 的细分市场。 |
| 2018 |
首次获得“最佳职场”(Great Place to Work®) 认证 |
| 2018 |
庆祝美光成立 40 周年：四十载积累，再创新辉煌 |
| 2018 |
宣布捐赠 100 万美元，用于推动人工智能研究发展 |
| 2018 |
在弗吉尼亚州马纳萨斯开设长生命周期产品卓越中心 |
| 2019 |
入选《福布斯》“多元化最佳雇主”榜单 |
| 2019 |
收购 FWDNXT |
| 2019 |
在日本广岛开设先进 DRAM 技术中心 |
| 2020 |
率先推出采用 PAM4 多级信令的内存 GDDR6X。 |
| 2020 |
率先出货业界 176 层 NAND 闪存。 |
| 2020 |
捐赠 5,000 万美元支持弱势群体社区发展。 |
| 2021 |
率先推出业界 1α DRAM 制程技术。 |
| 2021 |
在亚特兰大开设设计中心。 |
| 2021 |
发行首笔 10 亿美元绿色债券。 |
| 2021 |
投资超过 1,500 亿美元，用于前沿内存和研发。 |
| 2021 |
在全球范围实现全面薪酬平等。 |
| 2022 |
美光出货全球首款 232 层 NAND，进一步巩固技术优势地位。 |
| 2022 |
美光业界前沿 232 层 3D NAND 为新一轮端到端技术创新奠定了基础。凭借这一率先推出的 232 层技术，美光实现了行业前沿的存储密度、增强性能和 I/O 速度。新技术有助于在客户端、移动和数据中心市场开启数字化、性能优化和自动化的新机遇。 |
| 2022 |
美光实现 50,000 项专利里程碑。 |
| 2022 |
出货业界前沿 DRAM 产品，采用 1-Beta 节点技术。 |
| 2022 |
投资 1,000 亿美元在纽约州克莱建设超级晶圆厂。 |
| 2022 |
投资 150 亿美元在爱达荷州新建晶圆厂。 |
| 2022 |
美光创投第二轮基金承诺投资 2 亿美元扶植深度技术初创公司。 |
| 2023 |
美光率先在业界推出 8 层堆叠 24GB HBM3E 样品，凭借其先进的 1β 制程节点工艺，实现了超过 1.2 TB/s 的带宽和更优的能效表现。 |
| 2023 |
庆祝美光成立 45 周年。 |
| 2023 |
宣布在印度新建半导体封装与测试工厂。 |
| 2023 |
推出内存扩展模块系列产品，加速 CXL 2.0 普及。 |
| 2023 |
博伊西前沿内存制造晶圆厂开工建设。 |
| 2024 |
出货业界速度出众的 G9 TLC NAND。 |
| 2024 |
率先量产 12 层堆叠 HBM3E。 |
| 2024 |
LPCAMM2 率先上市。 |
| 2024 |
发布第一代 MRDIMM。 |
| 2025 |
美光已达成一项重大创新里程碑：累计获得 60,000 项授权专利。 |
| 2025 |
率先出货采用 1γ (1-gamma) 技术、基于第六代 DRAM 节点的内存。 |
| 2025 |
率先出货 SOCAMM 模块。 |
| 2025 |
向关键客户出货 HBM4。 |
